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      高純水設(shè)備去除弱電解質(zhì)的影響因素

      時(shí)間:2014-09-01 作者:admin 點(diǎn)擊:431次

       對(duì)高純水設(shè)備去除弱電解質(zhì)(CO2、SiO2)的影響因素進(jìn)行了試驗(yàn)研究,探討了其去除機(jī)理。結(jié)果表明:進(jìn)水電導(dǎo)率增大和弱電解質(zhì)含量增加都會(huì)降低EDI對(duì)弱電解質(zhì)的去除率;進(jìn)水CO2含量對(duì)產(chǎn)水電導(dǎo)率影響較大,當(dāng)CO2含量增加到10mg/L以上時(shí)EDI產(chǎn)水電導(dǎo)率會(huì)急劇上升;只有嚴(yán)格控制進(jìn)水電導(dǎo)率(電導(dǎo)率40μS/cm)和弱電解質(zhì)濃度(CO210mg/L,SiO21mg/L),才可能獲得較高的產(chǎn)水質(zhì)量和弱電解質(zhì)去除率;在一定范圍內(nèi),提高進(jìn)水pH值、增大操作電流和減小產(chǎn)水流量,有利于弱電解質(zhì)的去除。去除這些不利的影響的因素后,高純水設(shè)備能獲得較為良好的運(yùn)行條件及高質(zhì)的出水質(zhì)量。

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